三星电子今日宣布，已向主要客户交付业界首批 HBM4E（高带宽内存第四代增强版）样品。HBM4E 是新一代面向 AI 加速器和高性能计算的超高速内存产品，单堆叠容量达到 16GB，带宽超过 1.5TB/s，较上代 HBM3E 提升约 50%。

此次首批样品主要交付给英伟达、AMD 等主要 AI 芯片客户，用于下一代 GPU 加速器的验证测试。三星表示，HBM4E 将采用先进的 1a 纳米工艺节点制造，并通过改良的 TSV 硅通孔技术实现更密集的芯片堆叠。

技术规格与代际对比

HBM4E 在多项关键指标上实现了飞跃：数据传输速率达到 9.6Gbps/pin，较 HBM3E 的 8Gbps 提升约 20%；单堆叠层数从 8 层增加到 12 层，容量翻倍；功耗效率提升约 30%，对 AI 数据中心的能耗压力有所缓解。

此外，三星还引入了自适应刷新率和动态电压调节技术，可根据 AI 训练和推理的不同负载模式自动优化功耗表现。

市场竞争格局

TrendForce 报告显示，预估 2027 年全球存储器产值将扩大至 1.28 万亿美元。在 HBM 领域，三星、SK 海力士和美光三家争霸。三星率先交付 HBM4E 样品，在时间点上暂时领先。不过 SK 海力士也计划在今年三季度推出同类产品，美光则预计年底跟进。